После логического развития флэш-памяти Samsung только что объявила о начале массового производства 3D-флеш-чипов с «вертикальным NAND» (V-NAND). Хотя мы знаем Samsung как крупную компанию по производству бытовой электроники, корейский производитель также имеет прибыльный бизнес, производящий внутренние компоненты - такие как процессоры, флэш-память и дисплеи - для многих различных производителей устройств.
Ранее мы говорили о переходе Samsung (и других производителей) на более мелкие технологии для установки более плотного объема памяти в той же физической области с переходом на производственный процесс класса 10 нм, но, как следует из названия, вы ожидаете эта новая система 3D NAND делает шаг вперед. Вместо того, чтобы придерживаться традиционной «плоской» (плоской) структуры, Samsung теперь создает чипы, которые размещают компоненты вертикально - до 24 слоев ячеек.
Подобно переходу на меньшую архитектуру, переход на V-NAND обладает неотъемлемыми преимуществами как по надежности, так и по скорости для получаемых чипов. Samsung утверждает, что эти первые чипы V-NAND в 2–10 раз надежнее и в 2 раза быстрее записи по сравнению с существующей флэш-памятью класса 10 нм.
Начиная массовое производство, Samsung ожидает, что в ближайшем будущем новые микросхемы появятся в результате производства бытовой электроники от компьютерных SSD потребительского класса до встроенных флэш-накопителей.
Источник: Samsung (BusinessWire)
