Samsung LSI в настоящее время производит Snapdragon 820 компании Qualcomm на своем 14-нм узле LPP FinFET второго поколения, и похоже, что южнокорейская компания заключила контракт на 10-нм Snapdragon 830 следующего года. Это согласно корейским новостям ET News, в которых говорится, что SoC будет использоваться в Galaxy S8. Samsung, скорее всего, сохранит ту же стратегию, которой придерживались для Galaxy S7 и S7 Edge, в которой американские модели работают на Snapdragon 830, в то время как глобальная версия запускает свой новый Exynos 8895.
Как и Snapdragon 830, собственный Exynos 8895 от Samsung также будет основан на 10-нм технологическом процессе. ET News также пишет, что Qualcomm и Samsung работают над разработкой технологии FoPLP (Fan-out Panel Level Package), которая устраняет необходимость в печатной плате для подложки пакета, которая будет использоваться в Snapdragon 830 и Exynos 8895.
Мы мало что знаем о SoC, но похоже, что Samsung надеется достичь значительно более высоких частот, перейдя на 10 нм. Утечка Exynos 8895, полученная в августе, предполагает, что Samsung использует частоту 4 ГГц на собственном ядре Mongoose и достигает 2, 7 ГГц на ядре Cortex A53. Будет интересно посмотреть, какого повышения производительности добивается Qualcomm со своей реализацией процессора Kryo.
