Еще в декабре 2014 года Samsung выпустила пакет мобильной DRAM 4 ГБ LPDDR4, позволяющий смартфонам иметь 4 ГБ ОЗУ. Компания объявила о выпуске первого в отрасли модуля памяти DRD LPDDR4 объемом 8 ГБ, предназначенного для мобильных телефонов, ультратонких ноутбуков и планшетов.
Модуль DRAM изготовлен с использованием 10-нм процесса и видит четыре 16-гигабитных (2 ГБ) чипа памяти LPDDR4, уложенных друг в друга для создания модуля 8 ГБ. Память работает со скоростью до 4266 Мбит / с, что при передаче по 64-битной шине памяти обеспечивает пропускную способность более 34 ГБ / с. Благодаря эффективному производственному процессу модуль 8 ГБ потребляет то же количество энергии, что и его более старый аналог 4 ГБ, который был построен на 20-нм узле.
От Joo Sun Choi, исполнительного вице-президента Samsung по продажам и маркетингу памяти:
Появление нашего мощного 8-гигабайтного мобильного DRAM-решения позволит использовать более мощные флагманские мобильные устройства нового поколения по всему миру Мы продолжим предлагать передовые решения для памяти, предлагающие самые высокие значения и передовые преимущества для удовлетворения растущих потребностей устройств с функциями двойной камеры, 4K UHD и VR.
Нет слов о том, когда мы увидим новую DRAM в потребительском оборудовании, но с приближением Galaxy S8 вполне возможно, что нам не придется долго ждать, чтобы увидеть 8 ГБ ОЗУ на телефонах.
