Samsung объявила, что в настоящее время она массово производит первый в мире встроенный универсальный флэш-накопитель 2, 1 (eUFS) для телефонов объемом 1 ТБ, а сроки запуска предполагают, что чип памяти может появиться на Galaxy S10. Samsung отметил, что сам модуль имеет тот же размер, что и чип 512 ГБ, который есть в Galaxy Note 9.
Samsung может достичь этого, используя технологию V-NAND, где ячейки NAND располагаются вертикально, чтобы максимизировать плотность и эффективность. Samsung рекламирует скорость последовательного чтения до 1000 Мбит / с и скорость записи 260 Мбит / с, что должно позволить модулю хранения обеспечивать непрерывную запись видео даже на скорости 960 кадров в секунду.
По словам вице-президента Samsung по маркетингу памяти Чеола Чоя, модуль eUFS емкостью 1 ТБ будет играть ключевую роль в «обеспечении более удобного пользовательского интерфейса для мобильных устройств следующего поколения». Генеральный директор Samsung по мобильному телефону DJ Koh заявил в интервью на этой неделе, что Galaxy S10 будет соответствовать ожиданиям клиентов, и одним из способов сделать это является использование внутреннего хранилища емкостью 1 ТБ.
